電子元件、電路、二極體、電晶體和接面的簡要解釋
* Semiconductor Device 、電子電路由既不是良導體也不是良絕緣體的材料所組成。
* Semiconductor Device只不過是利用半導體材料（如矽、鍺和砷化鎵）以及有機半導體的電子特性的電子元件。
關鍵術語
o 半導體
Ø 二極體
Ø 晶體管
o 雙極接面電晶體
Ø 底座
Ø 收藏家
Ø 發射器
Ø 積體電路
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1. 海恩斯-蕭克利實驗
2. 半導體材料
3. 晶格
4.立方晶格
5. 平面和方向
6. 鑽石格子
7. 塊狀晶體生長
8. 單晶錠的生長
9. 晶圓
10. 外延生長
11. 氣相外延
12. 分子束外延
13. 半導體中的電荷載子
14.有效質量
15. 內在材料
16. 外在材料
17. 量子阱中的電子和電洞
18. 費米能階
19.補償與空間電荷中性
20. 漂移和阻力
21.光吸收
22.光致發光
23.電致發光
24.載子壽命和光電導率
25.電子和電洞的直接複合
26. 間接重組；誘捕
27. 穩態載波產生；準費米能階
28. 光電導器件
29. 擴散過程
30.載流子的擴散與漂移：內置場
31. 擴散與重組；連續性方程
32. 穩態載子注入：擴散長度
33.準費米能階的梯度
34.載流子濃度的溫度依賴性
35.溫度和摻雜對遷移率的影響
36. 高場效應
37. 霍爾效應
38. pn 接面的製造：熱氧化
39. PN結擴散
40. 快速熱處理
41. 離子注入
42. 化學氣相沉積（CVD）
43.光刻
44. 蝕刻
45. 金屬化
46.平衡條件
47.平衡費米能階
48. 連接處的空間電荷
49. 正向和反向偏置結
50. 載子注入
51. 反向偏置
52. 反向偏移擊穿
53. 齊納擊穿
54. 雪崩擊穿
55. 整流器
56.擊穿二極體
57. 瞬態與交流條件
58. 反向恢復瞬態
59.理想二極體模型
60. 接觸電位對載子注入的影響
61. 開關二極體
62.pn結電容
63.過渡區的重組與生成
64. 歐姆損耗
65. 分級交會處
66.金屬半導體結：肖特基勢壘
67. 目前的運輸流程
68.熱電子發射理論
69.擴散理論
70.熱電子發射擴散理論
71. 糾正聯絡人
72. 隧道電流
73. 少數載子注入
74. MIS 隧道二極體
75. 障礙高度的測量
76.活化能測量
77. 光電測量
78. 歐姆接觸
每個主題都配有圖表、方程式和其他形式的圖形表示，以便更好地學習和快速理解。
半導體裝置是各大學工程教育課程和技術學位課程的一部分。
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