Appareils électroniques, circuits, diodes, transistors et jonctions expliqués en bref
* Le Semiconductor Device , circuit électronique est constitué d'un matériau qui n'est ni un bon conducteur ni un bon isolant.
* Semiconductor Device ne sont rien d'autre que des composants électroniques qui exploitent les propriétés électroniques des matériaux semi-conducteurs, comme le silicium, le germanium et l'arséniure de gallium, ainsi que des semi-conducteurs organiques.
Termes clés
o Semi-conducteur
oDiode
oTransistors
o Transistor à jonction bipolaire
o Socle
o Collectionneur
o Émetteur
o Circuits intégrés
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Certains des sujets abordés dans l'application sont :
1. L'expérience Haynes-Shockley
2. Matériaux semi-conducteurs
3. Treillis cristallin
4. Treillis cubiques
5. Avions et directions
6. Le réseau de diamant
7. Croissance cristalline en vrac
8. Croissance des lingots monocristallins
9. Gaufrettes
10. Croissance épitaxiale
11. Épitaxie en phase vapeur
12. Épitaxie par jet moléculaire
13. Porteurs de charge dans les semi-conducteurs
14. Masse efficace
15. Matériel intrinsèque
16. Matériel extrinsèque
17. Électrons et trous dans les puits quantiques
18. Le niveau de Fermi
19. Compensation et neutralité de la charge d'espace
20. Dérive et résistance
21. Absorption optique
22. Photoluminescence
23. Électroluminescence
24. Durée de vie du porteur et photoconductivité
25. Recombinaison directe des électrons et des trous
26. Recombinaison indirecte ; Piégeage
27. Génération de transporteurs en régime permanent ; Niveaux quasi-Fermi
28. Dispositifs photoconducteurs
29. Processus de diffusion
30. Diffusion et dérive des porteurs : champs intégrés
31. Diffusion et recombinaison ; L'équation de continuité
32. Injection de porteurs à l’état d’équilibre : longueur de diffusion
33. Dégradés dans les niveaux quasi-Fermi
34. Dépendance à la température des concentrations de porteurs
35. Effets de la température et du dopage sur la mobilité
36. Effets à haut champ
37. L'effet Hall
38. Fabrication de jonctions pn : oxydation thermique
39. Diffusion de la jonction PN
40. Traitement thermique rapide
41. Implantation ionique
42. Dépôt chimique en phase vapeur (CVD)
43. Photolithographie
44. Gravure
45. Métallisation
46. Conditions d'équilibre
47. Niveaux de Fermi d’équilibre
48. Charge d'espace à une intersection
49. Jonctions à polarisation directe et inverse
50. Injection de porteur
51. Biais inversé
52. Répartition du biais inversé
53. Panne Zener
54. Répartition des avalanches
55. Redresseurs
56. La diode de panne
57. Conditions transitoires et AC
58. Transitoire de récupération inversée
59. Le modèle de diode idéal
60. Effets du potentiel de contact sur l’injection de porteur
61. Diodes de commutation
62. Capacité des jonctions pn
63. Recombinaison et génération dans la région de transition
64. Pertes ohmiques
65. Jonctions graduées
66. Jonctions métalliques semi-conductrices : barrières Schottky
67. Processus de transport actuels
68. Théorie des émissions thermoioniques
69. Théorie de la diffusion
70. Théorie thermoionique-émission-diffusion
71. Rectification des contacts
72. Courant tunnel
73. Injection de porteurs minoritaires
74. Diode tunnel MIS
75. Mesure de la hauteur de la barrière
76. Mesure d’énergie d’activation
77. Mesure photoélectrique
78. Contacts ohmiques
Chaque sujet est complet avec des diagrammes, des équations et d'autres formes de représentations graphiques pour un meilleur apprentissage et une compréhension rapide.
Les dispositifs semi-conducteurs font partie des cours de formation d’ingénieur et des programmes d’études technologiques de diverses universités.
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