電子デバイス、回路、ダイオード、トランジスタ、接合について簡単に説明
* Semiconductor Device 、電子回路は、良導体でも良絶縁体でもない材料で構成されています。
※ Semiconductor Deviceとは、シリコン、ゲルマニウム、ガリウムヒ素などの半導体材料や有機半導体の電子的性質を利用した電子部品のことです。
重要な用語
o 半導体
o ダイオード
o トランジスタ
o バイポーラ接合トランジスタ
o ベース
o コレクター
o エミッター
o 集積回路
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アプリで取り上げられるトピックの一部は次のとおりです。
1. ヘインズ・ショックレー実験
2. 半導体材料
3. 結晶格子
4. 立方格子
5. 平面と方向
6. ダイヤモンド格子
7. バルク結晶成長
8. 単結晶インゴットの育成
9. ウエハース
10. エピタキシャル成長
11. 気相エピタキシー
12. 分子線エピタキシー
13. 半導体の電荷キャリア
14. 有効質量
15. 固有のマテリアル
16. 外部マテリアル
17. 量子井戸の電子と正孔
18. フェルミレベル
19. 補償と空間料金の中立性
20. ドリフトと抵抗
21. 光吸収
22. フォトルミネッセンス
23. エレクトロルミネッセンス
24. キャリア寿命と光導電性
25. 電子と正孔の直接再結合
間接的組換え; 26．トラッピング
27. 定常状態のキャリアの生成。準フェルミ準位
28. 光伝導デバイス
29. 拡散プロセス
30. キャリアの拡散とドリフト: 内蔵フィールド
31. 拡散と再結合。連続性の方程式
32. 定常状態のキャリア注入: 拡散長
33. 準フェルミ準位の勾配
34. キャリア濃度の温度依存性
35. 温度とドーピングが移動度に及ぼす影響
36. 高磁場効果
37. ホール効果
38. pn 接合の製造: 熱酸化
39. PN接合の拡散
40. 急速熱処理
41. イオン注入
42. 化学蒸着 (CVD)
43. フォトリソグラフィー
44. エッチング
45. メタライゼーション
46. 平衡条件
47. 平衡フェルミ準位
48. ジャンクションにおける空間チャージ
49. 順バイアス接合と逆バイアス接合
50. キャリア注入
51. 逆バイアス
52. 逆バイアスの内訳
53. ツェナー故障
54. 雪崩ブレイクダウン
55. 整流器
56. 降伏ダイオード
57. 過渡状態とAC状態
58. 逆回復過渡現象
59. 理想ダイオードモデル
60. キャリア注入に対する接触電位の影響
61. スイッチングダイオード
62. pn接合の静電容量
63. 遷移領域における組換えと生成
64. オーミック損失
65. 勾配ジャンクション
66. 金属半導体接合: ショットキー障壁
67. 現在のトランスポートプロセス
68. 熱電子放出理論
69. 拡散理論
70. 熱電子放出拡散理論
71. 連絡先の修正
72. トンネル電流
73.少数キャリア注入
74. MISトンネルダイオード
75. バリア高さの測定
76. 活性化エネルギー測定
77. 光電測定
78. オーミックコンタクト
各トピックには、図、方程式、その他の形式のグラフィック表現が含まれており、学習を促進し、迅速に理解できます。
半導体デバイスは、さまざまな大学の工学教育コースおよび技術学位プログラムの一部です。
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