电子器件、电路、二极管、晶体管和结的简要解释
* Semiconductor Device 、电子电路由既不是良导体也不是良绝缘体的材料组成。
* Semiconductor Device只不过是利用半导体材料（如硅、锗和砷化镓）以及有机半导体的电子特性的电子元件。
关键术语
o 半导体
Ø 二极管
Ø 晶体管
o 双极结型晶体管
Ø 底座
Ø 收藏家
Ø 发射器
Ø 集成电路
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该应用程序涵盖的一些主题是：
1. 海恩斯-肖克利实验
2. 半导体材料
3. 晶格
4.立方晶格
5. 平面和方向
6. 钻石格子
7. 块状晶体生长
8. 单晶锭的生长
9. 晶圆
10. 外延生长
11. 气相外延
12. 分子束外延
13. 半导体中的电荷载流子
14.有效质量
15. 内在材料
16. 外在材料
17. 量子阱中的电子和空穴
18. 费米能级
19.补偿和空间电荷中性
20. 漂移和阻力
21.光吸收
22.光致发光
23.电致发光
24.载流子寿命和光电导率
25.电子和空穴的直接复合
26. 间接重组；诱捕
27. 稳态载波生成；准费米能级
28. 光电导器件
29. 扩散过程
30.载流子的扩散和漂移：内置场
31. 扩散与重组；连续性方程
32. 稳态载流子注入：扩散长度
33.准费米能级的梯度
34.载流子浓度的温度依赖性
35.温度和掺杂对迁移率的影响
36. 高场效应
37. 霍尔效应
38. pn 结的制造：热氧化
39. PN结扩散
40. 快速热处理
41. 离子注入
42. 化学气相沉积（CVD）
43.光刻
44. 蚀刻
45. 金属化
46.平衡条件
47.平衡费米能级
48. 连接处的空间电荷
49. 正向和反向偏置结
50. 载流子注入
51. 反向偏置
52. 反向偏置击穿
53. 齐纳击穿
54. 雪崩击穿
55. 整流器
56.击穿二极管
57. 瞬态和交流条件
58. 反向恢复瞬态
59.理想二极管模型
60. 接触电位对载流子注入的影响
61. 开关二极管
62.pn结电容
63.过渡区的重组与生成
64. 欧姆损耗
65. 分级交汇处
66.金属半导体结：肖特基势垒
67. 当前的运输流程
68.热电子发射理论
69.扩散理论
70.热电子发射扩散理论
71. 纠正联系人
72. 隧道电流
73. 少数载流子注入
74. MIS 隧道二极管
75. 障碍高度的测量
76.活化能测量
77. 光电测量
78. 欧姆接触
每个主题都配有图表、方程和其他形式的图形表示，以便更好地学习和快速理解。
半导体器件是各大学工程教育课程和技术学位课程的一部分。
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